5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGP20N120B
IXGP20N120B PDF预览

IXGP20N120B

更新时间： 2024-11-20 20:33:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 500K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGP20N120B 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.62Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：790 ns
标称接通时间 (ton)：35 nsBase Number Matches：1

IXGP20N120B 数据手册

 浏览型号IXGP20N120B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGP20N120B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGP20N120B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGP20N120B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGP20N120B的Datasheet PDF文件第6页 
High Voltage IGBT with  
Diode  
Designed for induction  
heating applications  
IXGP 20N120B  
IXGP 20N120BD1  
VCES  
IC25  
= 1200 V  
= 40 A  
VCE(sat) = 3.4 V  
tfi(typ)  
= 160 ns  
D1  
Maximum Ratings  
Symbol  
TestConditions  
TO-220 (IXGP)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
C (TAB)  
G
C
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
40  
20  
A
A
A
E
TC = 110°C  
G = Gate  
C = Collector  
TAB = Collector  
TC = 25°C, 1 ms  
100  
E = Emitter  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15 V, TJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load  
ICM = 48  
@0.8 VCES  
A
Features  
z International standard TO-220  
package  
PC  
TC = 25°C  
190  
W
z IGBT and anti-parallel FRED for  
resonant power supplies  
- Induction heating  
- Rice cookers  
z MOS Gate turn-on  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Md  
Mounting torque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
- drive simplicity  
z Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)  
- soft recovery with low IRM  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Weight  
4
g
Advantages  
z Saves space (two devices in one  
package)  
z
Easy to mount with 1 screw  
(isolated mounting screw hole)  
Reduces assembly time and cost  
z
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
2.5  
5.0  
V
VCE = VCES  
VGE = 0 V  
20N120B  
20N120BD1  
25 µA  
50 µA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC  
= 20A, VGE = 15 V  
2.9  
2.8  
3.4  
V
V
Note 2  
TJ=125°C  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS99088A(12/03)  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXGP20N120B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGP20N120B3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1200V IGBT
IXGP20N120B3 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP20N120BD1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N120BD1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N30 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-220AB,
IXGP20N60B IXYS

获取价格

 		HiPerFASTTM IGBT
IXGP24N120C3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1200V IGBT
IXGP24N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP24N60C IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGP24N60C4 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB,

与IXGP20N120B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证