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IXGP20N120B3

更新时间： 2023-12-06 20:13:13

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	239K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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Preliminary Technical Information

GenX3^TM1200V IGBT

V_CES= 1200V

I_C90= 20A

V_CE(sat)≤ 3.1V

IXGA20N120B3

IXGP20N120B3

High Speed Low Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz Switching

TO-263 (IXGA)

G

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E

C (TAB)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

1200

1200

V

V

TO-220 (IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

36

20

80

A

A

A

C (TAB)

G

C

E

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 15Ω

Clamped Inductive load

I_CM= 40

A

V

@V_CE≤ 1200

G = Gate

C

= Collector

P_C

T_C= 25°C

180

W

E = Emitter

TAB = Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

-55 ... +150

Features

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

^zSquare RBSOA

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

g

g

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

^zInductive Heating

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

1200

2.5

V

V

5.0

I_CES

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

25 μA

T_J= 125°C

T_J= 125°C

1

±100

3.1

mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

nA

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15V, Note 2

2.7

2.8

V

V

DS100126(03/09)

© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6 7

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与IXGP20N120B3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGP20N120BD1	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,	获取价格
IXGP20N120BD1	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,	获取价格
IXGP20N30	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-220AB,	获取价格
IXGP20N60B	IXYS	HiPerFASTTM IGBT	获取价格
IXGP24N120C3	IXYS	GenX3 1200V IGBT	获取价格
IXGP24N120C3	LITTELFUSE	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30	获取价格

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