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IXGP20N60B

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
HiPerFASTTM IGBT

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IXGP20N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	150 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	220 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns

IXGP20N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGA 20N60B V_CES

IXGP 20N60B I_C25

= 600 V

= 40 A

V_CE(sat)typ= 1.7 V

t_fi

= 100 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

TO-263 AA (IXGA)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

· Internationalstandardpackages

JEDEC TO-263 surface

mountable and JEDEC TO-220 AB

M_d

Mountingtorque(TO-220)

0.45/4 Nm/lb.in.

M3.5 0.55/5 Nm/lb.in.

· High frequency IGBT

Weight

TO-220

TO-263

· Highcurrenthandlingcapability

· HiPerFAST^TMHDMOS^TMprocess

· MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

· Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

· Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

· AC motor speed control

· DC servo and robot drives

· DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

Advantages

· High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

±100 nA

2.0

· Suitableforsurfacemounting

· Very low switching losses for high

frequencyapplications

V_CE(sat)

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98506B(07/99)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP24N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
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