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IXGP20N60B

更新时间： 2024-02-04 08:07:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
HiPerFASTTM IGBT

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IXGP20N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	150 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	220 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns

IXGP20N60B 数据手册

IXGA 20N60B

IXGP 20N60B

Symbol

g_fs

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

TO-220 AB (IXGP) Outline

min. typ.

max.

I_C= I_C90; V_CE= 10 V,

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle £ 2 %

C_ies

C_oes

C_res

1500

175

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 1 MHz

Q_g

Q_ge

Q_gc

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, V_CE= 0.5 V_CES

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 25°C

12.70 13.97 0.500 0.550

14.73 16.00 0.580 0.630

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, L = 100 mH,

E_on

t_d(off)

t_fi

0.15

150

100

0.7

V_CE= 0.8 V_CES, R_G= R_off= 10 W

9.91 10.66 0.390 0.420

3.54

4.08 0.139 0.161

200 ns

150 ns

1.0 mJ

Remarks: Switching times may increase

for V_CE(Clamp) > 0.8 • V_CES, higher T_Jor

increased R_G

5.85

2.54

6.85 0.230 0.270

3.18 0.100 0.125

1.15

2.79

1.65 0.045 0.065

5.84 0.110 0.230

E_off

0.64

1.01 0.025 0.040

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 125°C

2.54 BSC 0.100 BSC

4.32

1.14

4.82 0.170 0.190

1.39 0.045 0.055

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, L = 100 mH

V_CE= 0.8 V_CES, R_G= R_off= 10 W

Remarks: Switching times may

increase for V_CE(Clamp) > 0.8 • V_CES

higher T_Jor increased R_G

E_on

t_d(off)

t_fi

0.15

220

140

1.2

0.35

2.29

0.56 0.014 0.022

2.79 0.090 0.110

E_off

TO-263 AA (IXGA) Outline

R_thJC

R_thCK

0.83 K/W

K/W

(TO-220)

0.25

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

Min. Max.

4.06

2.03

4.83

2.79

.160 .190

.080 .110

0.51

1.14

0.99

1.40

.020 .039

.045 .055

Min. Recommended Footprint

0.46

1.14

0.74

1.40

.018 .029

.045 .055

8.64

7.11

9.65

8.13

.340 .380

.280 .320

9.65

6.86

2.54

10.29

8.13

BSC

.380 .405

.270 .320

.100 BSC

14.61

2.29

1.02

1.27

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

.575 .625

.090 .110

.040 .055

.050 .070

.015

0.46

0.74

.018 .029

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 4

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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