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IXGP28N120B

更新时间： 2024-11-18 21:21:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 565K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP28N120B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：550 ns
标称接通时间 (ton)：63 nsBase Number Matches：1

IXGP28N120B 数据手册

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IXGP 28N120B VCES = 1200 V  
IC25 50 A  
High Voltage IGBT  
=
VCE(sat) = 3.5 V  
tfi(typ) = 160 ns  
TO-220 (IXGP)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1200  
1200  
V
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
C (TAB)  
G
C
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
50  
28  
150  
A
A
A
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 5 Ω  
I
= 60  
A
(RBSOA)  
CGlaE mped inductive load  
@ 0C.8M VCES  
250  
Features  
z
PC  
TC = 25°C  
W
High Voltage IGBT for resonant  
power supplies  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
- Induction heating  
- Rice cookers  
z
International standard package  
JEDEC TO-220  
Maximum Lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
z
z
Low switching losses, low V(sat)  
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Md  
Mounting torque (M3.5) (TO-220)  
0.55/5Nm/lb.in.  
Weight  
4
g
Advantages  
z
High power density  
z
Suitable for surface mounting  
z
Easy to mount with 1 screw  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA , VGE = 0 V  
1200  
2.5  
V
ICC = 250 µA, VCE = VGE  
5
V
ICES  
VCE = VCES, VGE= 0 V  
T = 25°C  
25  
µA  
µA  
TJJ = 125°C  
250  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 28A, VGE = 15 V  
100  
3.5  
nA  
VCE(sat)  
2.9  
2.8  
V
V
TJ = 125°C  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS99139(12/03)  
12345

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