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IXGP30N60B2

更新时间： 2024-02-23 05:55:13

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IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	549K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP30N60B2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.18	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	350 ns	标称接通时间 (ton)：	30 ns
Base Number Matches：	1

IXGP30N60B2 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

= 600 V

= 70 A

IXGP 30N60B2

V_CE(sat)< 1.8 V

Optimized for 10-25 KHz hard

switching and up to 150 KHz

resonant switching

t_fityp

= 82 ns

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXSP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

150

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600 V

T_C= 25°C

I_CM= 60

Features

190

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

M_d

Mounting torque

1.13/10Nm/lb.in.

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Weight

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= V

T = 25°C

µA

V_GE= 0^CV^ES

T_J^J= 150°C

100

1.8

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= 24 A, V_GE= 15 V

V_CE(sat)

T_J= 25°C

DS99167(04/04)

12 3 4 5

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