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IXGP20N120BD1

更新时间： 2024-01-13 17:32:27

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	500K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP20N120BD1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	790 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

IXGP20N120BD1 数据手册

High Voltage IGBT with

Diode

Designed for induction

heating applications

IXGP 20N120B

IXGP 20N120BD1

V_CES

I_C25

= 1200 V

= 40 A

V_CE(sat)= 3.4 V

t_fi(typ)

= 160 ns

Maximum Ratings

Symbol

TestConditions

TO-220 (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

G = Gate

C = Collector

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

100

E = Emitter

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 48

@0.8 V_CES

Features

^zInternational standard TO-220

package

P_C

T_C= 25°C

190

^zIGBT and anti-parallel FRED for

resonant power supplies

- Induction heating

- Rice cookers

^zMOS Gate turn-on

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

- drive simplicity

^zFast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

Advantages

^zSaves space (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

20N120B

20N120BD1

25 µA

50 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 20A_,V_GE= 15 V

2.9

2.8

3.4

Note 2

T_J=125°C

DS99088A(12/03)

12 3 4 5 6

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