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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 790 ns | 标称接通时间 (ton)： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGP20N30 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-220AB, |
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| IXGP20N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT |
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| IXGP24N120C3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1200V IGBT |
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| IXGP24N120C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGP24N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGP24N60C4 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, |
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| IXGP28N120B | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, |
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| IXGP28N120B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, |
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| IXGP28N60A3 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IXGP28N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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