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IXGP20N120BD1

更新时间： 2024-01-02 15:06:36

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	500K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP20N120BD1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	790 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

IXGP20N120BD1 数据手册

IXGP 20N120BD1

Symbol

g_fs

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

TO-220 (IXGP) Outline

I_C= 20A; V_CE= 10 V,

Note 2.

C_ies

1040

C_oes

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 1 MHz

20N120B

20N120BD1

C_res

Q_g

Q_ge

Q_gc

I_C= 20A, V_GE= 15 V, V_CE= 0.5 V_CES

Pins: 1 - Gate

2 - Drain

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= 20 A; V_GE= 15 V

t_d(off)

270

380 ns

V_CE= 0.8 V_CES; R_G= R_off= 10 Ω

Note 1.

t_fi

E_off

220

2.2

360 ns

3.5 mJ

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 125°C

I_C= 20A; V_GE= 15 V

E_on

t_d(off)

1.6

340

V_CE= 0.8 V_CES; R_G= R_off= 10 Ω

Note 1

t_fi

E_off

450

5.0

R_thJC

0.65 K/W

ReverseDiode(FRED)

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Symbol

TestConditions

I_F

T_C= 90°C

V_F

I_F= 10 A, V_GE= 0 V

3.3

I_RM

t_rr

I_F= 10 A; -di_F/dt = 400 A/µs, V_R= 600 V

V_GE= 0 V; T_J= 125°C

120

t_rr

I_F= 1 A; -di_F/dt = 100 A/µs; V_R= 30 V, V_GE= 0 V

R_thJC

2.5 K/W

Notes: 1.

Switching times may increase for V_CE(Clamp) > 0.8 • V_CES

higher T_Jor increased R_G.

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered byoneormore

ofthefollowingU.S.patents:

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343

123 4 5 6

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