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IXGP20N120BD1 PDF预览

IXGP20N120BD1

更新时间： 2024-02-09 21:17:39
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 500K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP20N120BD1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.62外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：790 ns标称接通时间 (ton)：35 ns
Base Number Matches：1

IXGP20N120BD1 数据手册

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IXGP 20N120BD1  
IXGP 20N120BD1  
30  
A
2000  
40  
A
nC  
25  
TVJ= 100°C  
VR = 600V  
TVJ= 100°C  
VR = 600V  
1500  
Qr  
30  
IF  
IRM  
20  
15  
10  
5
IF= 20A  
IF= 10A  
IF= 5A  
1000  
500  
0
20  
10  
0
TVJ=150°C  
TVJ=100°C  
IF= 20A  
IF= 10A  
IF= 5A  
TVJ= 25°C  
0
A/µs  
-diF/dt  
0
1
2
3
VF  
4 V  
100  
1000  
0
200 400 600 1000  
A/µs  
-diF/dt  
Fig. 13. Forward current IF versus VF  
2.0  
Fig. 14. Reverse recovery charge Qr  
versus -diF/dt  
Fig. 15. Peak reverse current IRM  
versus -diF/dt  
150  
ns  
120  
1.2  
µs  
TVJ= 100°C  
VR = 600V  
V
140  
130  
120  
110  
100  
90  
TVJ= 100°C  
VFR  
trr  
tfr  
1.5  
Kf  
IF = 10A  
80  
40  
0
0.8  
tfr  
VFR  
1.0  
IRM  
IF= 20A  
IF= 10A  
IF= 5A  
0.4  
0.5  
Qr  
0.0  
0.
A/µs  
0
40  
80  
120  
160  
0
200 400 600 1000  
0
200 400 600 1000  
°C  
A/µs  
diF/dt  
TVJ  
-diF/dt  
Fig. 16. Dynamic parameters Qr, IRM  
versus TVJ  
Fig. 17. Recovery time trr versus -diF/dt  
Fig. 18. Peak forward voltage VFR and  
tfr versus diF/dt  
10  
K/W  
Constants for ZthJC calculation:  
1
i
Rthi (K/W)  
ti (s)  
ZthJC  
0.1  
1
2
3
1.449  
0.558  
0.493  
0.0052  
0.0003  
0.017  
0.01  
DSEP 8-12A  
0.001  
0.00001  
s
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t
Fig. 19. Transient thermal resistance junction-to-case  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered byoneormore  
ofthefollowingU.S.patents:  
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1  
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343  
1...3456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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