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IXGP15N120B

更新时间： 2024-01-27 15:11:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGP15N120B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	190 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	470 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGP15N120B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES= 1200 V

IXGA 15N120B

IXGP 15N120B

I_C25

30 A

3.2 V

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 160 ns

Preliminary data

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263 AA (IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 40

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

150

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Low switching losses, low V_(sat)

• MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

- drivesimplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

100

3.5

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

3.2

T_J= 125°C

2.5

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98660 (10/99)

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IXGP15N120B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STGP8NC60KD	STMICROELECTRONICS	功能相似	600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
SGP15N120	INFINEON	功能相似	Fast IGBT in NPT-technology
IRG4PF50W	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与IXGP15N120B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP15N120B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
IXGP15N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP16N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed
IXGP16N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode
IXGP16N60B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP16N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGP16N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGP16N60C2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGP20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对

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