Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGP16N60C2D1

IXGP16N60C2D1

更新时间： 2024-11-20 03:14:35

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	527K
描述
HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

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IXGP16N60C2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	190 ns
标称接通时间 (ton)：	43 ns	Base Number Matches：	1

IXGP16N60C2D1 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

C2-Class High Speed

IGBT

IXGA 16N60C2

V_CES

= 600 V

= 40 A

IXGP 16N60C2

I_C25

IXGA 16N60C2D1

V_CE(sat)= 3.0 V

IXGP 16N60C2D1

t_fi(typ)

= 35 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXGA)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_D110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 110°C (IXG_16N60C2D1 diode)

T_C= 25°C, 1 ms

TO-220 (IXGP)

100

SSOA

= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 Ω

I_CM= 32

C^Gla^Emped inductive load

@0.8 V_CES

C (TAB)

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

M_d

Mounting torque

(M3.5 screw)

0.55/5 Nm/lb.in.

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Very high frequency IGBT

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Maximum tab temperature

260

°C

soldering SMD devices for 10s

- drive simplicity

Weight

TO-220

TO-263

Applications

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

power supplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

AC motor speed control

min. typ. max.

DC servo and robot drives

DC choppers

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= V

16N60C2

25 µA

50 µA

V_GE= 0^CV^ES

16N60C2D1

Advantages

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100 nA

Very fast switching speeds for high

V_CE(sat)

I_C= 12 A_,V_GE= 15 V

Note 2

3.0

frequency applications

T_J=125°C

2.1

DS99142A(3/04)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP20N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGP20N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGP20N100A3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGP20N100A3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGP20N120	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGP20N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGP20N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGP20N120B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N120B	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,

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