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IXGP15N120B2

更新时间： 2024-09-19 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXGP15N120B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	565 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGP15N120B2 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

=1200 V

= 30 A

IXGA 15N120B2

IXGP 15N120B2

V_CE(sat)= 3.5 V

= 137 ns

Optimized for 10-25 KHz hard

switching and up to 150 KHz

resonant switching

t_fi(typ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263AA(IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 40

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

170

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• International standard packages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Low switching losses

• MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

1200

2.5

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

3.5

µA

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_CE90, V_GE= 15

100

3.5

V_CE(sat)

T_J= 125°C

2.7

DS99417(05/05)

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