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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGP16N60C2
IXGP16N60C2 PDF预览

IXGP16N60C2

更新时间： 2024-11-05 03:14:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 527K
描述
HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

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IXGP16N60C2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：PURE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：190 ns标称接通时间 (ton)：43 ns
Base Number Matches：1

IXGP16N60C2 数据手册

 浏览型号IXGP16N60C2的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
HiPerFASTTM IGBT  
C2-Class High Speed  
IGBT  
IXGA 16N60C2  
VCES  
= 600 V  
= 40 A  
IXGP 16N60C2  
IC25  
IXGA 16N60C2D1  
VCE(sat) = 3.0 V  
IXGP 16N60C2D1  
tfi(typ)  
= 35 ns  
D1  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXGA)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
C (TAB)  
C
IC25  
IC110  
ID110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C (IXG_16N60C2D1 diode)  
TC = 25°C, 1 ms  
40  
16  
11  
A
A
A
A
TO-220 (IXGP)  
100  
SSOA  
V
= 15 V, TJ = 125°C, RG = 22 Ω  
ICM = 32  
A
CGlaE mped inductive load  
@0.8 VCES  
C (TAB)  
(RBSOA)  
G
C
E
PC  
TC = 25°C  
150  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
C = Collector  
E = Emitter  
TAB = Collector  
Md  
Mounting torque  
(M3.5 screw)  
0.55/5 Nm/lb.in.  
Features  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
z
Very high frequency IGBT  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
z
z
Maximum tab temperature  
260  
°C  
soldering SMD devices for 10s  
- drive simplicity  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
2
g
g
Applications  
z
PFC circuits  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
Switched-mode and resonant-mode  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
power supplies  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
AC motor speed control  
min. typ. max.  
z
DC servo and robot drives  
z
DC choppers  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
2.5  
5.0  
V
VCE = V  
16N60C2  
25 µA  
50 µA  
VGE = 0CVES  
16N60C2D1  
Advantages  
z
High power density  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
100 nA  
z
Very fast switching speeds for high  
VCE(sat)  
IC = 12 A, VGE = 15 V  
Note 2  
3.0  
V
V
frequency applications  
TJ=125°C  
2.1  
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS99142A(3/04)  
12

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