Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGP12N100

IXGP12N100

更新时间： 2024-02-14 20:39:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
IGBT

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP12N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	700 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	900 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns

IXGP12N100 数据手册

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

IGBT

IXGA/IXGP12N100 1000 V

IXGA/IXGP12N100A 1000 V

24 A

3.5 V

4.0 V

Preliminary Data Sheet

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-263 (IXGA)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 W

Clamped inductive load, L = 300 mH

I_CM= 24

C (TAB)

(RBSOA)

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• SecondgenerationHDMOS^TM

process

-55 ... +150

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

• Low V_CE(sat)

Weight

- forminimumon-stateconduction

losses

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 mA, V_GE= V_GE

5.0

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8, V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

250

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

12N100

12N100A

3.5

4.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

95591A (3/97)

1 - 2

下载PDF

与IXGP12N100相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGP12N100A	IXYS	IGBT	获取价格
IXGP12N100AU1	IXYS	IGBT - Combi Pack	获取价格
IXGP12N100AU1	LITTELFUSE	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对	获取价格
IXGP12N100U1	IXYS	IGBT - Combi Pack	获取价格
IXGP12N120A2	IXYS	IGBT Optimized for switching up to 5KHz	获取价格
IXGP12N120A3	IXYS	GenX3 1200V IGBTs	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP12N100

IXGP12N100 技术参数

IXGP12N100 数据手册

与IXGP12N100相关器件

与IXGP12N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP12N100

IXGP12N100 技术参数

IXGP12N100 数据手册

与IXGP12N100相关器件

与IXGP12N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？