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IXGP12N100

更新时间： 2024-01-01 09:51:29

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT

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IXGP12N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	700 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	900 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns

IXGP12N100 数据手册

IXGA12N100

IXGP12N100

IXGA12N100A IXGP12N100A

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

TO-220 AB (IXGP) Outline

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

g_fs

I_C= I_C90; V_CE= 10 V,

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle £ 2 %

Q_g

Q_ge

Q_gc

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, V_CE= 0.5 V_CES

t_d(on)

t_ri

t_d(off)

t_fi

100

200

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, L = 300 mH

850 1000

500 700

800 1000

V_CE= 800 V, R_G= R_off= 120 W

Remarks: Switching times may

increase for V_CE(Clamp) > 0.8 V_CES

higher T_Jor increased R_G

12N100A

12N100

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

E_off

12N100A

2.5

12.70 13.97 0.500 0.550

14.73 16.00 0.580 0.630

t_d(on)

t_ri

100

200

1.1

900

950

1250

9.91 10.66 0.390 0.420

3.54

4.08 0.139 0.161

Inductive load, T_J= 125°C

5.85

2.54

6.85 0.230 0.270

3.18 0.100 0.125

I_C= I_C90, V_GE= 15 V, L = 300 mH

E_on

t_d(off)

t_fi

V_CE= 800 V, R_G= R_off= 120 W

Remarks: Switching times may

increase for V_CE(Clamp) > 0.8 V_CES

higher T_Jor increased R_G

1.15

2.79

1.65 0.045 0.065

5.84 0.110 0.230

12N100A

12N100

12N100A

12N100

0.64

1.01 0.025 0.040

2.54 BSC 0.100 BSC

4.32

1.14

4.82 0.170 0.190

1.39 0.045 0.055

E_off

0.35

2.29

0.56 0.014 0.022

2.79 0.090 0.110

R_thJC

R_thCK

1.25 K/W

K/W

0.25

TO-263 AA (IXGA) Outline

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

Min. Max.

4.06

2.03

4.83

2.79

.160 .190

.080 .110

Min. Recommended Footprint

0.51

1.14

0.99

1.40

.020 .039

.045 .055

0.46

1.14

0.74

1.40

.018 .029

.045 .055

8.64

7.11

9.65

8.13

.340 .380

.280 .320

9.65

6.86

2.54

10.29

8.13

BSC

.380 .405

.270 .320

.100 BSC

14.61

2.29

1.02

1.27

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

.575 .625

.090 .110

.040 .055

.050 .070

.015

0.46

0.74

.018 .029

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 2

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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