Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGP12N120A3

IXGP12N120A3

更新时间： 2024-11-20 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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5页	200K
描述
GenX3 1200V IGBTs

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IXGP12N120A3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	22 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1545 ns
标称接通时间 (ton)：	202 ns	Base Number Matches：	1

IXGP12N120A3 数据手册

GenX3^TM1200V

IGBTs

V_CES= 1200V

I_C90= 12A

V_CE(sat)≤ 3.0V

IXGA12N120A3

IXGP12N120A3

IXGH12N120A3

High Surge Current

TO-263 AA (IXGA)

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3kHz Switching

D (Tab)

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

TO-247 (IXGH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 24

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

^zMotor Drives

10 μA

275 μA

^zSMPS

T_J= 125°C

^zPFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.40

2.75

3.0

DS100212B(11/10)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP12N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP12N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB,
IXGP12N60C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP12N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGP12N60U1	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
IXGP14N120B	IXYS	获取价格	IGBT Optimized for switching up to 35 KHz
IXGP15N100B	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), N-Channel, TO-220AB,
IXGP15N100C	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series
IXGP15N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP15N120B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB

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