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IXGP12N60C

更新时间： 2024-11-04 23:15:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGP12N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	180 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	170 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

IXGP12N60C 数据手册

= 600 V

= 24 A

= 2.7 V

HiPerFAST^TMIGBT

IXGA 12N60C

IXGP 12N60C

CES

C25

t ^CE(sat)= 55 ns

fi(typ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 AA (IXGA)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

↑ C (tab)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-220 AB

(IXGP)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 24

(RBSOA)

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

E =Emitter

= Collector

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

•Very high freqency IGBT

•New generation HDMOS^TMprocess

•International standard package

•^JH^Eig^Dh^Ep^Ce^Ta^Ok ^-c²u²r⁰re^An^Bt ^ahⁿa^dnd^Tl^Oin^-g²⁶ca³p^Aa^Ability

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• PFC circuits

• AC motor speed control

• DC servo & robot drives

• Switch-mode and resonant-mode

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_GE= V_GE

600

2.5

5.0

• ^pH^oig^wh^erpo^sw^ue^pr^pla^ieu^sdio amplifiers

I_CES

V_CE= 0.8, V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Fast switching speed

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

2.1

2.7

97534B (2/02)

12 3 4

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IXGP15N120B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
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