Datasheet > IXGP12N60U1

IXGP12N60U1

更新时间： 2024-02-20 00:38:40

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	101K
描述
Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP12N60U1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	24 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	500 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1000 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

IXGP12N60U1 数据手册

Preliminary data

V_CES

I_C

V_CE(sat)

= 600 V

24 A

= 2.5 V

IXGP12N60U1

Low V_CE(sat)

IGBT with Diode

Combi Pack

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 AB

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 Ω

I_CM= 20

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 300 µH

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

Features

International standard package

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

JEDEC TO-220 AB

IGBT with antiparallel FRED in one

package

-55 ... +150

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

- for minimum on-state conduction

losses

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

FastRecovery Epitaxial Diode FRED)

- soft recovery with low I_RM

Weight

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 750 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_GE= V_GE

600

2.5

Switch-mode and resonant-mode

5.5

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250 µA

2.5 mA

Advantages

Easy to mount with 1 screw

Space savings (two devices in one

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

package)

Reduces assembly time and cost

High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15 V

2.5

92792D(9/96)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGP12N60U1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP14N120B	IXYS	获取价格	IGBT Optimized for switching up to 35 KHz
IXGP15N100B	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), N-Channel, TO-220AB,
IXGP15N100C	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series
IXGP15N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP15N120B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
IXGP15N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP16N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed
IXGP16N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode
IXGP16N60B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP16N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

与IXGP12N60U1相关文章

解读BSS138W数据手册：引脚信息、电气参数及替换型号推荐
2024-06-19

5
深入解读2N7002E数据手册：引脚图说明、应用与替换型号推荐
2024-06-19

4
手册资料解析：OPA2277UA引脚图信息、电气参数
2024-06-19

5
手册解析：INA826AIDR引脚图及功能说明、电气参数介绍
2024-06-19

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP12N60U1

IXGP12N60U1 技术参数

IXGP12N60U1 数据手册

与IXGP12N60U1相关器件

与IXGP12N60U1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP12N60U1

IXGP12N60U1 技术参数

IXGP12N60U1 数据手册

与IXGP12N60U1相关器件

与IXGP12N60U1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？