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IXGP10N60

更新时间： 2024-11-04 23:15:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	60K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGP10N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	1500 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	200 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1470 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	Base Number Matches：	1

IXGP10N60 数据手册

Preliminary data

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High speed IGBT

IXGA/IXGP/IXGH10N60

IXGA/IXGP/IXGH10N60A

600 V 20 A 2.5 V

600 V 20 A 3.0 V

TO-220AB(IXGP)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

TO-263 AA (IXGA)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

C (TAB)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-247 AD (IXGH)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 Ω

I_CM= 20

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 300 µH

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

-55 ... +150

Maximum Lead and Tab temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

International standard packages

JEDEC TO-263 AA surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

M_d

Mounting torque, TO-247 AD

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-263 AA

TO-247 AD

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

Advantages

Space savings, TO-263 AA

Facilitates automated assembly

Reduces assembly time and cost

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

10N60

10N60A

2.5

3.0

Easy to mount with 1 screw, TO-247

(isolated mounting screw hole)

High power density

91510G (9/96 )

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与IXGP10N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP10N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGP10N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 220A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N90A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP12N100	IXYS	获取价格	IGBT
IXGP12N100A	IXYS	获取价格	IGBT
IXGP12N100AU1	IXYS	获取价格	IGBT - Combi Pack
IXGP12N100AU1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGP12N100U1	IXYS	获取价格	IGBT - Combi Pack

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