Datasheet > IXGP10N60

IXGP10N60

更新时间： 2024-02-06 15:25:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	60K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP10N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	500 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	200 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1260 ns	标称接通时间 (ton)：	300 ns
Base Number Matches：	1

IXGP10N60 数据手册

Preliminary data

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High speed IGBT

IXGA/IXGP/IXGH10N60

IXGA/IXGP/IXGH10N60A

600 V 20 A 2.5 V

600 V 20 A 3.0 V

TO-220AB(IXGP)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

TO-263 AA (IXGA)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

C (TAB)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-247 AD (IXGH)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 150 Ω

I_CM= 20

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 300 µH

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

100

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

-55 ... +150

Maximum Lead and Tab temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

International standard packages

JEDEC TO-263 AA surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

M_d

Mounting torque, TO-247 AD

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-263 AA

TO-247 AD

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

Advantages

Space savings, TO-263 AA

Facilitates automated assembly

Reduces assembly time and cost

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

10N60

10N60A

2.5

3.0

Easy to mount with 1 screw, TO-247

(isolated mounting screw hole)

High power density

91510G (9/96 )

下载PDF

与IXGP10N60相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGP10N60A	IXYS	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT	获取价格
IXGP10N80	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB	获取价格
IXGP10N80A	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 220A I(C) \| TO-220AB	获取价格
IXGP10N90	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB	获取价格
IXGP10N90A	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB	获取价格
IXGP12N100	IXYS	IGBT	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP10N60

IXGP10N60 技术参数

IXGP10N60 数据手册

与IXGP10N60相关器件

与IXGP10N60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP10N60

IXGP10N60 技术参数

IXGP10N60 数据手册

与IXGP10N60相关器件

与IXGP10N60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？