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IXGP10N80A PDF预览

IXGP10N80A

更新时间： 2024-02-16 11:11:46

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	672K
描述
TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 220A I(C) \| TO-220AB

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IXGP10N80A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	220 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	最大降落时间（tf）：	1000 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
最大上升时间（tr）：	200 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

IXGP10N80A 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGP10N90	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB	获取价格
IXGP10N90A	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB	获取价格
IXGP12N100	IXYS	IGBT	获取价格
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