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IXGP10N60 PDF预览

IXGP10N60

更新时间： 2024-01-02 03:22:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGP10N60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
其他特性：HIGH SPEED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：500 ns
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：30 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：200 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1260 ns标称接通时间 (ton)：300 ns
Base Number Matches：1

IXGP10N60 数据手册

 浏览型号IXGP10N60的Datasheet PDF文件第1页 
IXGA/ IXGP/ IXGH10N60  
IXGA/ IXGP/ IXGH10N60A  
TO-220 AB Outline  
Symbol  
gfs  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
IC = IC90; VCE = 10 V,  
4
8
S
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %  
Cies  
Coes  
Cres  
750  
100  
30  
pF  
pF  
pF  
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz  
Qg  
50  
15  
25  
70 nC  
25 nC  
45 nC  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Qge  
Qgc  
IC = IC90, VGE = 15 V, VCE = 0.5 VCES  
A
B
12.70  
14.23  
14.93  
16.50  
0.500  
0.560  
0.580  
0.650  
C
D
9.66  
3.54  
10.66  
4.08  
0.380  
0.139  
0.420  
0.161  
Inductive load, TJ = 25°C  
IC = IC90, VGE = 15 V, L = 100 µH  
td(on)  
tri  
100  
200  
0.4  
ns  
ns  
E
F
5.85  
2.29  
6.85  
2.79  
0.230  
0.090  
0.270  
0.110  
VCE = 0.8 VCES  
,
G
H
1.15  
2.79  
1.77  
6.35  
0.045  
0.110  
0.070  
0.250  
Eon  
td(off)  
tfi  
mJ  
ns  
RG = Roff = 150 Ω  
J
K
0.64  
2.54  
0.89  
BSC  
0.025  
0.100  
0.035  
BSC  
Remarks: Switching times  
may increase for VCE  
600  
300  
0.6  
M
N
4.32  
0.64  
4.82  
1.39  
0.170  
0.025  
0.190  
0.055  
10N60A  
10N60A  
ns  
(Clamp) > 0.8 • VCES  
,
Q
R
0.51  
2.04  
0.76  
2.49  
0.020  
0.080  
0.030  
0.115  
Eoff  
higher TJ or increased RG  
mJ  
Inductive load, TJ = 125°C  
td(on)  
tri  
100  
200  
1
ns  
ns  
TO-263 AA Outline  
IC = IC90, VGE = 15 V,  
L = 100 µH  
Eon  
td(off)  
tfi  
mJ  
VCE = 0.8 VCES  
,
900 1500 ns  
570 2000 ns  
360  
RG = Roff = 150 Ω  
10N60  
10N60A  
Remarks: Switching times  
may increase for VCE  
(Clamp) > 0.8 • VCES, higher  
600 ns  
Eoff  
10N60  
10N60A  
2.0  
1.2  
mJ  
mJ  
TJ or increased RG  
1. Gate  
2. Collector  
3. Emitter  
4. Collector Bottom Side  
RthJC  
RthCK  
1.25 K/W  
K/W  
0.25  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Max.  
Min. Max.  
IXGA/P/IXGH 10N60 / 10N60A characteristic curves are located in the  
IXGH 10N60U1 and IXGH 10N60AU1 data sheet.  
A
A1  
4.06  
2.03  
4.83  
2.79  
.160 .190  
.080 .110  
b
b2  
0.51  
1.14  
0.99  
1.40  
.020 .039  
.045 .055  
c
c2  
0.46  
1.14  
0.74  
1.40  
.018 .029  
.045 .055  
D
D1  
8.64  
7.11  
9.65  
8.13  
.340 .380  
.280 .320  
TO-247 AD Outline  
E
E1  
e
9.65  
6.86  
2.54  
10.29  
8.13  
BSC  
.380 .405  
.270 .320  
.100 BSC  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
L
14.61  
2.29  
1.02  
1.27  
0
15.88  
2.79  
1.40  
1.78  
0.38  
.575 .625  
.090 .110  
.040 .055  
.050 .070  
Min.  
Max.  
L1  
L2  
L3  
L4  
A
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185  
.087  
.059  
.209  
.102  
.098  
A
A12  
0
.015  
b
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040  
.065  
.113  
.055  
.084  
.123  
R
0.46  
0.74  
.018 .029  
b
b12  
P
Min. Recommended Footprint  
C
D
E
.4  
20.80  
15.75  
.8  
21.46  
16.26  
.016  
.819  
.610  
.031  
.845  
.640  
e
L
L1  
5.20  
19.81  
5.72  
20.32  
4.50  
0.205 0.225  
.780  
.800  
.177  
P
3.55  
5.89  
3.65  
6.40  
.140  
0.232 0.252  
.144  
Q
R
S
4.32  
6.15  
5.49  
BSC  
.170  
242  
.216  
BSC  
e
(Dimensions in inches and (mm))  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,881,106  
4,850,072 4,931,844  
5,017,508  
5,034,796  
5,049,961 5,187,117 5,486,715  
5,063,307 5,237,481 5,381,025  
12

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与IXGP10N60相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXGP10N60A IXYS Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGP10N80 ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB

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