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IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-02-19 02:21:57
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 217K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXGN72N60C3H1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：MINIBLOC-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.44其他特性：UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：78 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：244 ns标称接通时间 (ton)：62 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

IXGN72N60C3H1 数据手册

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GenX3TM 600V IGBT  
with Diode  
VCES  
IC110  
= 600V  
= 52A  
IXGN72N60C3H1  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
≤£ 2.50V  
= 55ns  
High-Speed Low-Vsat PT  
IGBTs 40-100 kHz Switching  
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
Continuous  
Maximum Ratings  
E c  
600  
600  
±20  
±30  
V
V
V
V
G
VCGR  
VGES  
VGEM  
Transient  
E c  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
78  
52  
A
A
A
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
360  
c
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
EAS  
500  
ICM = 150  
@ VCE ≤ VCES  
360  
mJ  
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE= 15V, TVJ = 125°C, RG = 2Ω  
Clamped Inductive Load  
TC = 25°C  
A
Features  
z Optimized for Low Switching Losses  
z Square RBSOA  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z Aluminium Nitride Isolation  
- High Power Dissipation  
z Isolation Voltage 3000V~  
z Avalanche Rated  
TJM  
Tstg  
VISOL  
-55 ... +150  
50/60Hz  
IISOL ≤ 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z International Standard Package  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
Advantages  
Weight  
30  
g
z High Power Density  
z Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z Power Inverters  
z UPS  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z Motor Drives  
z SMPS  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VCE = VGE  
3.0  
5.5  
V
VCE = VCES, VGE = 0V  
250  
3
μA  
mA  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100  
nA  
V
VCE(sat)  
IC = 50A, VGE = 15V, Note 1  
2.10  
1.65  
2.50  
TJ = 125°C  
DS100053A(11/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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