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IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-11-05 19:52:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	217K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXGN72N60C3H1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.44	其他特性：	UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	78 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	244 ns	标称接通时间 (ton)：	62 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXGN72N60C3H1 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

with Diode

V_CES

I_C110

= 600V

= 52A

IXGN72N60C3H1

V_CE(sat)

t_fi(typ)

≤£ 2.50V

= 55ns

High-Speed Low-Vsat PT

IGBTs 40-100 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

E c

600

±20

±30

V_CGR

V_GES

V_GEM

Transient

E c

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

360

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_A

T_C= 25°C

E_AS

500

I_CM= 150

@ V_CE≤ V_CES

360

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

Features

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zAluminium Nitride Isolation

- High Power Dissipation

^zIsolation Voltage 3000V~

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

V_ISOL

-55 ... +150

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zInternational Standard Package

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^zMotor Drives

^zSMPS

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.5

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

250

μA

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

2.10

1.65

2.50

T_J= 125°C

DS100053A(11/09)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGN75N90	IXYS	获取价格	Transistor
IXGN82N120B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP10N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
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IXGP10N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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