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IXGN72N60C3H1

更新时间: 2024-02-02 05:27:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 217K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

IXGN72N60C3H1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:MINIBLOC-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:8.44其他特性:UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):78 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):360 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Nickel (Ni)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):244 ns标称接通时间 (ton):62 ns
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

IXGN72N60C3H1 数据手册

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IXGN72N60C3H1  
Fig. 8. Gate Charge  
Fig. 7. Transconductance  
16  
14  
12  
10  
8
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
TJ = - 40ºC  
VCE = 300V  
I C = 50A  
I
G = 10mA  
25ºC  
125ºC  
6
4
2
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
QG - NanoCoulombs  
IC - Amperes  
Fig. 9. Capacitance  
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area  
160  
140  
120  
100  
80  
10,000  
1,000  
100  
C
ies  
C
oes  
res  
60  
C
40  
TJ = 125ºC , RG = 2  
dv / dt < 10V / ns  
f
= 1 MHz  
20  
0
10  
100  
200  
300  
400  
VCE - Volts  
500  
600  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
VCE - Volts  
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance  
1.00  
0.10  
0.01  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Pulse Width - Seconds  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  

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