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IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-01-14 21:38:18

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	217K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXGN72N60C3H1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.44	其他特性：	UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	78 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	244 ns	标称接通时间 (ton)：	62 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXGN72N60C3H1 数据手册

IXGN72N60C3H1

Fig. 8. Gate Charge

Fig. 7. Transconductance

T_J= - 40ºC

V_CE= 300V

I _C= 50A

_G= 10mA

25ºC

125ºC

100

120

140

160

180

Q_G- NanoCoulombs

I_C- Amperes

Fig. 9. Capacitance

Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area

160

140

120

100

10,000

1,000

100

ies

oes

res

T_J= 125ºC , R_G= 2Ω

dv / dt < 10V / ns

= 1 MHz

100

200

300

400

V_CE- Volts

500

600

V_CE- Volts

Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance

1.00

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7

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