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IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-01-23 17:39:45
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 217K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXGN72N60C3H1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：MINIBLOC-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.44其他特性：UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：78 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：244 ns标称接通时间 (ton)：62 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

IXGN72N60C3H1 数据手册

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IXGN72N60C3H1  
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
VGE = 15V  
13V  
VGE = 15V  
13V  
11V  
11V  
9V  
9V  
7V  
7V  
5V  
5V  
0
0.0  
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
2.4  
2.8  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on  
JunctionTemperature  
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125ºC  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
VGE = 15V  
VGE = 15V  
13V  
11V  
9V  
I C = 100A  
I C = 50A  
7V  
5V  
I C = 25A  
0.0  
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
2.4  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VCE - Volts  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage  
vs. Gate-to-Emitter Voltage  
Fig. 6. Input Admittance  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
TJ = 25ºC  
TJ = 125ºC  
25ºC  
- 40ºC  
I C = 100A  
50A  
25A  
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
6.0  
6.5  
7.0  
7.5  
8.0  
VGE - Volts  
VGE - Volts  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXGN72N60C3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGN75N60B IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXGN75N80 IXYS

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IXGP10N60 IXYS

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 		Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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