是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.76 | 最大集电极电流 (IC): | 20 A |
集电极-发射极最大电压: | 1000 V | 最大降落时间(tf): | 1000 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 30 V |
JESD-609代码: | e0 | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 100 W |
最大上升时间(tr): | 200 ns | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXGP10N50 | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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IXGP10N50A | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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IXGP10N60 | IXYS | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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IXGP10N60A | IXYS | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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IXGP10N80 | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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IXGP10N80A | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 220A I(C) | TO-220AB |
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