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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGP10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGP10N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGP10N80 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N80A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 220A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N90 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N90A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP12N100 | IXYS |
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IGBT |
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| IXGP12N100A | IXYS |
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IGBT |
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| IXGP12N100AU1 | IXYS |
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IGBT - Combi Pack |
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| IXGP12N100AU1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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