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IXGP10N100A

更新时间: 2024-02-04 23:14:40
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 672K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB

IXGP10N100A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.76最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:1000 V最大降落时间(tf):1000 ns
门极发射器阈值电压最大值:5 V门极-发射极最大电压:30 V
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):100 W
最大上升时间(tr):200 ns子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IXGP10N100A 数据手册

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