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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 最大降落时间（tf）： | 1000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 30 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大上升时间（tr）： | 200 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGP10N50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGP10N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGP10N80 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
|
| IXGP10N80A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 220A I(C) | TO-220AB |
|
| IXGP10N90 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
|
| IXGP10N90A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP12N100 | IXYS |
获取价格 |
IGBT |
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| IXGP12N100A | IXYS |
获取价格 |
IGBT |
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