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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGN82N120B3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGN82N120C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGP10N100 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N100A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N50 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGP10N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGP10N80 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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| IXGP10N80A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 220A I(C) | TO-220AB |
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