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IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-02-15 00:43:20
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 217K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXGN72N60C3H1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：MINIBLOC-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.44其他特性：UL RECOGNIZED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：78 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：244 ns标称接通时间 (ton)：62 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

IXGN72N60C3H1 数据手册

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IXGN72N60C3H1  
Fig. 18. Inductive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 19. Inductive Turn-on  
Switching Times vs. Collector Current  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
38  
36  
34  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
tr  
td(on)  
- - - -  
tr  
td(on)  
- - - -  
TJ = 125ºC, VGE = 15V  
CE = 480V  
RG = 2ꢀ , VGE = 15V  
V
VCE = 480V  
I C = 100A  
TJ = 25ºC, 125ºC  
60  
40  
I C = 50A  
20  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
IC - Amperes  
RG - Ohms  
Fig. 20. Inductive Turn-on  
Switching Times vs. Junction Temperature  
120  
110  
100  
90  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
t r  
t
d(on) - - - -  
RG = 2Ω , VGE = 15V  
VCE = 480V  
80  
I C = 100A  
70  
60  
50  
40  
30  
I C = 50A  
20  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105  
115  
125  
TJ - Degrees Centigrade  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  
IXYS REF: G_72N60C3(8D)11-25-09-C  
1...34567

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