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IXGN50N60BD2

更新时间： 2024-02-21 02:35:24

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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HiPerFAST IGBT with HiPerFRED

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IXGN50N60BD2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	其他特性：	FAST
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	200 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXGN50N60BD2 数据手册

IXGN 50N60BD2

IXGN 50N60BD3

100

200

160

120

_GE= 15V

T_J= 25°C

V_GE= 15V

T_J= 25°C

11V

13V

11V

13V

V_CE- Volts

Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics

V_CE- Volts

Fig. 2. Extended Output Characteristics

100

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

T_J= 125°C

V_GE= 15V

_C= 100A

13V

11V

I_C= 50A

I_C= 25A

100

125

150

V_CE- Volts

T_J- Degrees C

Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics

Fig. 4. Temperature Dependence of V_CE(sat)

10000

100

f = 1Mhz

_CE= 10V

iss

1000

100

oss

T_J= 25°C

T_J= 125°C

rss

10 15 20 25 30 35 40

V_GE- Volts

V_CE-Volts

Fig. 6. Junction Capacitance Curves

Fig. 5. Saturation Voltage Characteristics

3 - 5

1 234 5

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