是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 集电极-发射极最大电压: | 500 V |
最大降落时间(tf): | 500 ns | JESD-609代码: | e0 |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 250 W | 最大上升时间(tr): | 200 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGM40N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGM40N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGN100N170 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 | |
IXGN120N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN120N60A3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGN120N60A3D1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN200N170 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? | |
IXGN200N60 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGN200N60A | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |