生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.67 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXGN200N60A2 | IXYS |
类似代替 ![]() |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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IXGN200N60A | IXYS |
类似代替 ![]() |
HiPerFAST IGBT |
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IXGN200N60 | IXYS |
类似代替 ![]() |
HiPerFAST IGBT |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGN400N30A3 | IXYS |
获取价格 |
Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching |
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IXGN400N30A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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IXGN400N60A3 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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IXGN400N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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IXGN400N60B3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |
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IXGN49N60BD3 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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IXGN50N120C3H1 | IXYS |
获取价格 |
High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching |
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IXGN50N120C3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |
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IXGN50N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT |
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IXGN50N60BD2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with HiPerFRED |
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