5秒后页面跳转
IXGN200N60A PDF预览

IXGN200N60A

更新时间: 2024-02-27 20:27:13
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
HiPerFAST IGBT

IXGN200N60A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:MINIBLOC-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69Is Samacsys:N
其他特性:FAST外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):200 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Nickel (Ni)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):540 ns标称接通时间 (ton):120 ns
Base Number Matches:1

IXGN200N60A 数据手册

 浏览型号IXGN200N60A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGN200N60A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGN200N60A的Datasheet PDF文件第4页 
HiPerFASTTM IGBT  
VCES  
IC25 VCE(sat)  
IXGN 200N60  
IXGN 200N60A  
600V 200 A 2.5V  
600V 200 A 2.7V  
E
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
SOT-227B, miniBLOC  
E   
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
E   
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
200  
100  
300  
A
A
A
C
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
 either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W  
Clamped inductive load, L = 30 mH  
ICM = 100  
@ 0.8 VCES  
A
PC  
TC = 25°C  
600  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
Internationalstandardpackage  
TJM  
Tstg  
miniBLOC(ISOTOPcompatible)  
Aluminiumnitrideisolation  
-55 ... +150  
VISOL  
50/60 Hz  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
- highpowerdissipation  
Isolation voltage 3000 V~  
Very high current, fast switching IGBT  
Low VCE(sat)  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque(M4)  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
- forminimumon-stateconduction  
losses  
MOS Gate turn-on  
Weight  
30  
g
- drive simplicity  
Low collector-to-case capacitance  
(< 50 pF)  
Low package inductance (< 5 nH)  
- easy to drive and to protect  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
Switch-modeandresonant-mode  
powersupplies  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250 mA, VGE = 0 V  
600  
2.5  
V
IC = 10 mA, VCE = VGE  
6
V
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
200  
2
mA  
mA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±400  
nA  
Advantages  
Easy to mount with 2 screws  
Space savings  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
200N60  
200N60A  
2.5  
2.7  
V
V
High power density  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92776I(1/98)  
1 - 4  

IXGN200N60A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXGN320N60A3 IXYS

类似代替

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

与IXGN200N60A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGN200N60A2 IXYS

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXGN200N60B IXYS

获取价格

HiPerFASTTM IGBT
IXGN200N60B3 IXYS

获取价格

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30
IXGN320N60A3 IXYS

获取价格

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN320N60A3 LITTELFUSE

获取价格

IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGN400N30A3 IXYS

获取价格

Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching
IXGN400N30A3 LITTELFUSE

获取价格

IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGN400N60A3 IXYS

获取价格

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN400N60A3 LITTELFUSE

获取价格

IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对