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IXGN400N60A3

更新时间： 2024-09-30 14:56:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	242K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGN400N60A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXGN400N60A3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

V_CES= 600V

I_C25= 400A

V_CE(sat) 1.25V

IXGN400N60A3

Ultra-Low-Vsat PT IGBT for

up to 5kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25C to 150C

600

E 

T_J= 25C to 150C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

T_C= 25C (Chip Capability)

T_C= 110C

Terminal Current Limit

400

190

200

800

E 

I_C110

I_LRMS

I_CM

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

T_C= 25C, 1ms



either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125C, R_G= 0.5

I_CM= 400

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ 0.8 • V_CES

P_C

T_J

T_C= 25C

830

Features

-55 ... +150

C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

C

^Optimized for Low Conduction losses

^Square RBSOA

^High Current Capability

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

^Isolation Voltage 3000 V~

^International Standard Package

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque (M4)

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Power Inverters

^UPS

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 250uA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^Inrush Current Protection Circuits

5.5

250 μA

T_J= 125C

2.5 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 400A

1.05 1.25

1.55

DS99577C(12/16)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGN400N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGN49N60BD3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXGN50N120C3H1	IXYS	获取价格	High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching
IXGN50N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGN50N60B	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT
IXGN50N60BD2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with HiPerFRED
IXGN50N60BD3	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with HiPerFRED
IXGN60N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
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