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IXGN200N60A2

更新时间： 2024-11-24 21:16:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	553K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXGN200N60A2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	950 ns	标称接通时间 (ton)：	120 ns
Base Number Matches：	1

IXGN200N60A2 数据手册

IXGN 200N60A2 V_CES

I_C25

= 600 V

= 200 A

IGBT

Optimized for Switching

up to 5 kHz

V_CE(sat)= 1.35 V

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

SOT-227B,miniBLOC

E c

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

E c

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

100

400

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 2.0 Ω

= 200

(RBSOA)

C^Gla^Emped inductive load

@^C0^M.8 V_CES

700

P_C

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

International standard package

miniBLOC

Aluminium nitride isolation

- high power dissipation

V_ISOL

50/60 Hz

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

Isolation voltage 3000 V~

Very high current IGBT

M_d

Mounting torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Low V_CE(sat)for minimum on-state

Terminal connection torque (M4)

conduction losses

MOS Gate turn-on

Weight

- drive simplicity

Low collector-to-case capacitance

(< 50 pF)

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

AC motor speed control

min. typ. max.

DC servo and robot drives

DC choppers

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

2.5

5.5

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

V_CE= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

µA

V_GE= 0^CV^ES

power supplies

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

400

Easy to mount with 2 screws

V_CE(sat)

1.2

1.35

Space savings

High power density

DS99087A(11/03)

12 3 4 5

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IXGN200N60A2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGN320N60A3	IXYS	类似代替	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

与IXGN200N60A2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGN200N60B	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT
IXGN200N60B3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGN320N60A3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN320N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGN400N30A3	IXYS	获取价格	Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching
IXGN400N30A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGN400N60A3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN400N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGN400N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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