生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGN320N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGN320N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN400N30A3 | IXYS |
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Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching | |
IXGN400N30A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN400N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGN400N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN400N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGN49N60BD3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 | |
IXGN50N120C3H1 | IXYS |
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High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching | |
IXGN50N120C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |