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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 400 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 735 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 555 ns | 标称接通时间 (ton)： | 100 ns |
| VCEsat-Max： | 1.15 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGN400N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN400N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGN400N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGN49N60BD3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXGN50N120C3H1 | IXYS |
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High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching |
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| IXGN50N120C3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGN50N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT |
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| IXGN50N60BD2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with HiPerFRED |
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| IXGN50N60BD3 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with HiPerFRED |
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| IXGN60N60 | IXYS |
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Ultra-Low VCE(sat) IGBT |
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