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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MINIBLOC-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NICKEL |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 450 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 110 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGN50N120C3H1 | IXYS |
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High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching |
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| IXGN50N120C3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGN50N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT |
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| IXGN50N60BD2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with HiPerFRED |
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| IXGN50N60BD3 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with HiPerFRED |
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| IXGN60N60 | IXYS |
获取价格 |
Ultra-Low VCE(sat) IGBT |
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| IXGN60N60C2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBTs with Diode |
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| IXGN60N60C2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBTs with Diode |
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| IXGN72N60A3 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXGN72N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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