是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH SPEED |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 75 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-204AE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 250 W | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 900 ns | 标称接通时间 (ton): | 300 ns |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGN100N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
![]() |
IXGN120N60A3 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
![]() |
IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
![]() |
IXGN120N60A3D1 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
![]() |
IXGN120N60A3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
![]() |
IXGN200N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
![]() |
IXGN200N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
![]() |
IXGN200N60A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
![]() |
IXGN200N60A2 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
![]() |
IXGN200N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT |
![]() |