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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 160 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 735 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 720 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 285 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGN120N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGN120N60A3D1 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN120N60A3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGN200N170 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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| IXGN200N60 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGN200N60A | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGN200N60A2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXGN200N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT |
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| IXGN200N60B3 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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