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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 227K | ![]() |
描述 | ||
功能与特色: 应用:? |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGN200N60 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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IXGN200N60A | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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IXGN200N60A2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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IXGN200N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT |
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IXGN200N60B3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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IXGN200N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |
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IXGN320N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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IXGN320N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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IXGN400N30A3 | IXYS |
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Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching |
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IXGN400N30A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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