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IXGM25N100A

更新时间： 2024-09-26 23:15:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	110K
描述
Low VCE(sat), High speed IGBT

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IXGM25N100A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.79
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	35	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1520 ns
标称接通时间 (ton)：	350 ns	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

IXGM25N100A 数据手册

V_CES

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)

High speed IGBT

IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 V

IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 V

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-204 AE (IXGM)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

Clamped inductive load, L = 100 µH

I_CM= 50

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high

temperature (125°C)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

1000

2.5

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

25N100

25N100A

3.5

4.0

(isolated mounting screw hole)

High power density

91516E (3/96)

12 3 4

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IXGM25N100A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGM17N100A	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM20N60A	IXYS	功能相似	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM20N60	IXYS	功能相似	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

与IXGM25N100A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGM25N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM25N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM25N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM25N90A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM30N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM30N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM30N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM30N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM40N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| TO-3
IXGM40N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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