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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGM30N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM30N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM40N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 |
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| IXGM40N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM40N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGN100N170 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXGN120N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGN120N60A3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN120N60A3D1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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