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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 最大上升时间（tr）： | 200 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGM30N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM30N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM30N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM40N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 |
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| IXGM40N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM40N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGN100N170 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXGN120N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGN120N60A3D1 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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