生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.82 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 2000 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 30 V | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 200 W | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大上升时间(tr): | 200 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 1100 ns | 标称接通时间 (ton): | 300 ns |
VCEsat-Max: | 2.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGM30N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGM40N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 | |
IXGM40N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGM40N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGN100N170 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 | |
IXGN120N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN120N60A3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGN120N60A3D1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGN200N170 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |