Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGM20N60

IXGM20N60

更新时间： 2024-09-26 23:15:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGM20N60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1430 ns	标称接通时间 (ton)：	300 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXGM20N60 数据手册

V_CES

600 V 40 A 2.5 V

IXGH/IXGM 20 N60A 600 V 40 A 3.0 V

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High speed IGBT

IXGH/IXGM 20 N60

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-204 AE (IXGM)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 82 Ω

I_CM= 40

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 100 µH

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high

temperature (125°C)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

20N60

20N60A

2.5

3.0

(isolated mounting screw hole)

High power density

91511F (3/96)

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IXGM20N60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGM25N100A	IXYS	功能相似	Low VCE(sat), High speed IGBT
IXGM20N60A	IXYS	功能相似	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM17N100A	IXYS	功能相似	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

与IXGM20N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGM20N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM20N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-204AE
IXGM20N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-204AE
IXGM20N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-204AE
IXGM20N90A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-204AE
IXGM25N100	IXYS	获取价格	Low VCE(sat), High speed IGBT
IXGM25N100A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat), High speed IGBT
IXGM25N100A	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGM25N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE
IXGM25N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-204AE

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