5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGM30N50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
|
| IXGM30N50A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
|
| IXGM30N60 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
|
| IXGM30N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
|
| IXGM40N50A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 |
|
| IXGM40N60 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
|
| IXGM40N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
|
| IXGN100N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
|
| IXGN120N60A3 | IXYS |
获取价格 |
600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
|
| IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
