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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGM30N50 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM30N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM30N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM30N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM40N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3 |
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| IXGM40N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM40N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGN100N170 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXGN120N60A3 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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| IXGN120N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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