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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 110 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 2500 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 420 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 305 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGL75N60BU1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-264, 3 PIN |
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| IXGM10N100A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N50 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N50A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N60 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
|
| IXGM10N60A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N80A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N90A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM17N100 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGM17N100A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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