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IXGL200N60B3

更新时间： 2024-09-26 12:20:19

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	217K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGL200N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	730 ns
标称接通时间 (ton)：	122 ns	Base Number Matches：	1

IXGL200N60B3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 90A

V_CE(sat)≤ 1.50V

t_fi(typ)= 183ns

IXGL200N60B3

Medium speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C (chip capability)

T_C= 25°C, 1ms

150

G C C E E

600

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 300

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

(RBSOA)

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600V

P_C

T_C= 25°C

400

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zSilocon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) substrate

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zIsolated mounting surface

^zSquare RBSOA

T_SOLD

^zHigh current handling capability

^z2500V electrical isolation

V_ISOL

50/60Hz, RMS, 1 minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

F_C

Mounting force

20..120/4.5..27

N/lb.

Advantages

Weight

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

^zPower Inverters

^zUPS

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

5.0

^zMotor Drives

^zSMPS

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

200 μA

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100

1.50

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 200A

1.35

1.65

1.75

T_J= 125°C

DS99917B(05/08)

12 3 4 5 6

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与IXGL200N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGL50N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-264, 3 PIN
IXGL75N250	LITTELFUSE	获取价格	NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sa
IXGL75N60BU1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-264, 3 PIN
IXGM10N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE
IXGM10N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE
IXGM10N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE
IXGM10N60	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE
IXGM10N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE
IXGM10N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE
IXGM10N90A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-204AE

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