是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.38 | JESD-609代码: | e1 |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGK72N60A3H1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT w/Diode | |
IXGK72N60A3H1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGK72N60B3H1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGK72N60B3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGK75N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, | |
IXGK75N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, PLASTIC | |
IXGK75N60B | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264AA, | |
IXGK80N60A | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGK82N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs | |
IXGK82N120A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |